Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) = Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) : монография; к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год / В. И. Алтухов, А. В. Санкин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Северо-Кавказский федеральный университет
Параллельное заглавие: : z11790Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond), английскийЯзык: русский.Выходные данные: Москва ; Пятигорск : СКФУ, 2021Физическая характеристика: 659 с. : ил., цв. ил. ; 24 см.ISBN: 978-5-6046722-4-2 Примечания: Авт. также англ.: V.I. Altukhov, A.V. Sankin; На 4-й с. обл. авт.: Алтухов В.И. - д-р физ.-мат. наук, проф., действ. чл. РАЕН, акад. РАЕ, Санкин А.В. - действ. чл. РАЕН.Резюме или реферат: С единых позиций на основе квантовых формул Кубо-Гринвуда развиты модели и рассчитано поведение особенностей тепловых, электрических свойств кристаллов карбида кремния (SiC), его твердых растворов (SiC-AIN), реальных кристаллов, диэлектриков (подложки), сегнетоэлектриков, а также поведение - характеристики гетероструктур, диодов и светодиодов силовой электроники. В приложениях приведены значения использованных универсальных физических постоянных; показана структура монокристаллов SiC и его политипов; как пример приведен ряд программ расчета различных свойств, характеристик, рассмотренных в работе материалов, диодов и светодиодов. В работе выявлены новые квантовые эффекты теплового, электрического сопротивления, рассмотренных в работе материалов-систем. Описана запатентованная установка для выращивания совершенных монокристаллов SiC и SiC-AIN. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки. Рассчитаны ВАХ диодов и положения полос спектра светодиодов на основе твердых растворов карбида кремния.Библиография: Библиогр.: с. 526-578; Осн. тр. авт.: с. 579-582.Предметная рубрика - Тема: Силовая электроника -- Физические основы | Карборунд -- Наноструктуры | Карборунд -- Монокристаллы -- Производство | Наноэлектроника -- Физические основы | Сегнетоэлектрики -- КристаллыНеконтролируемые предметные термины: широкозонные материалы | карбид кремния - получение монокристалла | диоды с барьером Шоттки | наноматериалы экстремальной электроники | квантовый транспорт | андерсоновская локализация | фононный свойства наноматериалов | сегнетоэлектрики-полупроводники | дефекты кристаллов | кристаллы с парамагнитными центрами | сегнетоэлектрические кристаллыУДК: 537.226, 4Другие классификации: З264.5 ; З843.323 ; З844.1-01Коллекция: Национальная библиография Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Зал технической, медицинской и естественнонаучной литературы | Доступно | ERR-241207 | ||||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2022-7/2893 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7437 | Доступно | 1-3524891 | ||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2022-7/2893 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7437 | Доступно | 1-3524890 | ||
| Книга | РНБ (Садовая) Универсальный читальный зал | Доступно | ERR-241217 |
Авт. также англ.: V.I. Altukhov, A.V. Sankin
На 4-й с. обл. авт.: Алтухов В.И. - д-р физ.-мат. наук, проф., действ. чл. РАЕН, акад. РАЕ, Санкин А.В. - действ. чл. РАЕН
Библиогр.: с. 526-578
Осн. тр. авт.: с. 579-582
С единых позиций на основе квантовых формул Кубо-Гринвуда развиты модели и рассчитано поведение особенностей тепловых, электрических свойств кристаллов карбида кремния (SiC), его твердых растворов (SiC-AIN), реальных кристаллов, диэлектриков (подложки), сегнетоэлектриков, а также поведение - характеристики гетероструктур, диодов и светодиодов силовой электроники. В приложениях приведены значения использованных универсальных физических постоянных; показана структура монокристаллов SiC и его политипов; как пример приведен ряд программ расчета различных свойств, характеристик, рассмотренных в работе материалов, диодов и светодиодов. В работе выявлены новые квантовые эффекты теплового, электрического сопротивления, рассмотренных в работе материалов-систем. Описана запатентованная установка для выращивания совершенных монокристаллов SiC и SiC-AIN. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки. Рассчитаны ВАХ диодов и положения полос спектра светодиодов на основе твердых растворов карбида кремния