Исследование глубоких примесных центров в GaAs : Cu с помощью фотолюминисценции; Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук; (01.04.10)
Язык: русский.Выходные данные: Л., 1983Физическая характеристика: 21 с.Примечания: В надзаг.: АН СССР, Физ. техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе.Библиография: Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.). Тип экземпляра: КнигаНет реальных экземпляров для этой записи
В надзаг.: АН СССР, Физ. техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе
Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.)