Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development (MES). Pt 3: Design of analog and mixed VLSI IP-blocs. Design of radiation-resistant VLSI circuits, extended abstracts (in English)
Ик 2015-8/202 - 200 экз.978-5-903559-48-0/[2015-80214]/английский (eng)/русский (rus)/Design of analog and mixed VLSI IP-blocs. Design of radiation-resistant VLSI circuits = Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС. Проектирование радиационно-стойких СБИС : extended abstracts (in English).Design of analog and mixed VLSI IP-blocs. Design of radiation-resistant VLSI circuits : extended abstracts (in English).Design of analog and mixed VLSI IP-blocs. Design of radiation-resistant VLSI circuits = Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС. Проектирование радиационно-стойких СБИС : extended abstracts (in English).Б. м./, 2015 ( ). - 2015. - IX, 57 с. : ил.Design of analog and mixed VLSI IP-blocs. Design of radiation-resistant VLSI circuits : extended abstracts (in English). Б. м., 2015 .Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development (MES) : proceedings of VI All-Russia science & technology conference MES-2014 / [chief ed.: Alexander L. Stempkovsky]Pt 3Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС. Проектирование радиационно-стойких СБИС/Design of radiation-resistant VLSI circuits/Большие интегральные схемы -- Проектирование -- Съезды, совещания и т.п/Большие интегральные схемы -- Радиационная стойкость -- Съезды, совещания и т.п/З844.15-02я431(2)/З844.15-019.8я431(2)/