Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами, [монография]
2017-7/1472 2017-7/1472 - 250 экз.978-5-94621-556-5/[2017-10185]/русский/английский/Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами = Semiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers : [монография] / С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев ; под редакцией О.П. Толбанова, профессора, доктора физико-математических наук ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Национальный исследовательский Томский государственный университет.Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами : [монография] / С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев.Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами = Semiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers : [монография].Томск/Издательский Дом Томского государственного университета/, 2016 ( ). - Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. - 256 с. : ил., табл. ; 24 см.Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами : [монография]. Томск, 2016 .
Авт. также на англ. яз.: S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, M.D. Vilisova, I.A. Prudaev. - Часть текста на англ. яз. - Библиогр.: с. 228-253. Библиогр.: с. 228-253.Semiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers/Арсениды галлия легированные -- Физические свойства/З843.324.406.33,0/З843.324.406.3/
Авт. также на англ. яз.: S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, M.D. Vilisova, I.A. Prudaev. - Часть текста на англ. яз. - Библиогр.: с. 228-253. Библиогр.: с. 228-253.Semiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers/Арсениды галлия легированные -- Физические свойства/З843.324.406.33,0/З843.324.406.3/