Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур, монография
- 500 экз.9785317054502/[2017-11763]/русский (rus)/Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур : монография / К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников ; Вычислительный центр Федерального исследовательского центра "Информатика и управления" Российской академии наук.Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур : монография / К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников.Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур : монография.Москва/МАКС-пресс/, 2016 ( ). - МАКС-пресс, 2016. - 118, [1] с. : ил. ; 21 см.Вычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур : монография. Москва, 2016 .
В вып. дан. авт.: К.К. Абгарян - к.ф.-м.н., Д.Д. Ревизников - д.ф.-м.н., проф. - Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 115-117 (42 назв.). Библиогр.: с. 115-117 (42 назв.).Нитриды галлия -- Полупроводниковые свойства/Полупроводники легированные -- Носители заряда -- Подвижность/Полупроводники многослойные -- Наноструктуры -- Квантово-механические расчеты/З843.306-1с11,0/В379.271.5с21,0/З843.324.063/
В вып. дан. авт.: К.К. Абгарян - к.ф.-м.н., Д.Д. Ревизников - д.ф.-м.н., проф. - Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 115-117 (42 назв.). Библиогр.: с. 115-117 (42 назв.).Нитриды галлия -- Полупроводниковые свойства/Полупроводники легированные -- Носители заряда -- Подвижность/Полупроводники многослойные -- Наноструктуры -- Квантово-механические расчеты/З843.306-1с11,0/В379.271.5с21,0/З843.324.063/