Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
2009-5/6482 2009-5/6482 Т1 З844.1/Д-797 У З844.1/Д-797 - 300 экз.978-5-9221-1069-3/[2009-41472]/русский (rus)/Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В.Г. Дубровский.Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В.Г. Дубровский.Теория формирования эпитаксиальных наноструктур.Москва/Физматлит/, 2009 ( ). - Физматлит, 2009. - 350 с. : ил. ; 22 см. - (Фундаментальная и прикладная физика).Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. Москва, 2009 .
На 4-й с. обл. авт.: В.Г. Дубровский - д.ф.-м.н., проф. - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.).Полупроводниковые соединения -- Эпитаксиальные слои/Полупроводниковые наноструктуры -- Производство/З844.1-06/З843.310.8-1/
На 4-й с. обл. авт.: В.Г. Дубровский - д.ф.-м.н., проф. - Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.). Библиогр.: с. 338-350 (350 назв.).Полупроводниковые соединения -- Эпитаксиальные слои/Полупроводниковые наноструктуры -- Производство/З844.1-06/З843.310.8-1/