Эффекты перенормировки экситонного и биэкситонного спектров в когерентно-возбуждаемых полупроводниках
2004-4/10868 2004-4/10868 [2004-23275]/русский/Эффекты перенормировки экситонного и биэкситонного спектров в когерентно-возбуждаемых полупроводниках / Хоанг Нгок Кам, В.С. Горелик.Эффекты перенормировки экситонного и биэкситонного спектров в когерентно-возбуждаемых полупроводниках / Хоанг Нгок Кам, В.С. Горелик.Эффекты перенормировки экситонного и биэкситонного спектров в когерентно-возбуждаемых полупроводниках.М./Б.и./, 2003 ( ). - Б.и., 2003. - 29, [4] с. : ил. ; 21 см. - (Препринт / Рос. акад. наук, Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева ; 35).Эффекты перенормировки экситонного и биэкситонного спектров в когерентно-возбуждаемых полупроводниках. М., 2003 .
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 26-29 (48 назв.). Библиогр.: с. 26-29 (48 назв.).Лазеры -- Излучение -- Взаимодействие с веществом/Лазерное излучение -- Взаимодействие с веществом/Полупроводники прямозонные -- Поляризационные явления/Прямозонные полупроводники -- Поляризационные явления/З86-013/В379.244/
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 26-29 (48 назв.). Библиогр.: с. 26-29 (48 назв.).Лазеры -- Излучение -- Взаимодействие с веществом/Лазерное излучение -- Взаимодействие с веществом/Полупроводники прямозонные -- Поляризационные явления/Прямозонные полупроводники -- Поляризационные явления/З86-013/В379.244/