Базовые технологические процессы материалов электроники (рост кристаллов и эпитаксия), коллективная монография
- 300 экз.978-5-00081612-7/русский/Базовые технологические процессы материалов электроники (рост кристаллов и эпитаксия) : коллективная монография / В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов, А. В. Попова [и др.] ; Министерство науки и высшего образования РФ, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетогурова" [и др.].Базовые технологические процессы материалов электроники (рост кристаллов и эпитаксия) : коллективная монография / В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов, А. В. Попова [и др.].Базовые технологические процессы материалов электроники (рост кристаллов и эпитаксия) : коллективная монография.Владикавказ/СОГУ им. К.Л. Хетогурова/, 2023 ( ). - СОГУ им. К.Л. Хетогурова, 2023. - 367 с. : ил., табл. ; 20 см.Базовые технологические процессы материалов электроники (рост кристаллов и эпитаксия) : коллективная монография. Владикавказ, 2023 .
На обороте тит. с. авт.: Косушкин В. Г., д-р техн. наук, проф., Кожитов Л. В., д-р техн. наук, проф., Попкова А. В., канд. техн. наук. - Библиогр.: с. 357-367 (127 назв.). Библиогр.: с. 357-367 (127 назв.).Полупроводники -- Эпитаксия/Полупроводники -- Кристаллы -- Рост/nlr_sh1/nlr_sh2/nlr_sh1/nlr_sh2/З843.308/
На обороте тит. с. авт.: Косушкин В. Г., д-р техн. наук, проф., Кожитов Л. В., д-р техн. наук, проф., Попкова А. В., канд. техн. наук. - Библиогр.: с. 357-367 (127 назв.). Библиогр.: с. 357-367 (127 назв.).Полупроводники -- Эпитаксия/Полупроводники -- Кристаллы -- Рост/nlr_sh1/nlr_sh2/nlr_sh1/nlr_sh2/З843.308/