Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers, a monograph
- 500 экз.978-5-907722-96-5/английский/Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers : a monograph / S. S. Khludkov, O. P. Tolbanov, M. D. Vilisova [et al.] ; edited by O. P. Tolbanov, Professor, Doctor of physical and mathematical sciences ; Ministry of science and higher education of the Russian Federation, National research Tomsk state university.Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers : a monograph / S. S. Khludkov, O. P. Tolbanov, M. D. Vilisova [et al.].Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers : a monograph.Tomsk/TSU press/, 2024 ( ). - TSU press, 2024. - 251 с. : ил. ; 25 см.Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers : a monograph. Tomsk, 2024 .
Библиогр.: с. 221-248. Библиогр.: с. 221-248.Полупроводниковые приборы -- Физические основы/Арсениды галлия легированные -- Физические свойства/nlr_sh1/nlr_sh2/nlr_sh2/З843.324.406.3/З852-01/
Библиогр.: с. 221-248. Библиогр.: с. 221-248.Полупроводниковые приборы -- Физические основы/Арсениды галлия легированные -- Физические свойства/nlr_sh1/nlr_sh2/nlr_sh2/З843.324.406.3/З852-01/