Полупроводниковые гетероструктуры и лазерные излучатели ближнего ИК-диапазона на их основе
- 250 экз.978-5-02-041200-2/[КН-П-25-067304]/русский (rus)/Полупроводниковые гетероструктуры и лазерные излучатели ближнего ИК-диапазона на их основе / Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк.Полупроводниковые гетероструктуры и лазерные излучатели ближнего ИК-диапазона на их основе / Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк.Полупроводниковые гетероструктуры и лазерные излучатели ближнего ИК-диапазона на их основе.Москва/Наука/, 2026 ( ). - Наука, 2026. - 194, [1] с. : ил., табл. ; 22 см.Полупроводниковые гетероструктуры и лазерные излучатели ближнего ИК-диапазона на их основе. Москва, 2026 .
Библиогр. в конце гл. Библиогр. в конце гл.Полупроводниковые лазеры инфракрасные -- Материалы/Полупроводники -- Гетеропереходы/Полупроводники -- Структура/З86-531.6-03/
Библиогр. в конце гл. Библиогр. в конце гл.Полупроводниковые лазеры инфракрасные -- Материалы/Полупроводники -- Гетеропереходы/Полупроводники -- Структура/З86-531.6-03/