Обзоры по электронной технике. Вып.1545: Применение метода ионной имплантации для создания фоточувствительных р-и-переходов на антимониде индия
русский (rus)/Применение метода ионной имплантации для создания фоточувствительных р-и-переходов на антимониде индия / Н.Н. Герасименко и др.Применение метода ионной имплантации для создания фоточувствительных р-и-переходов на антимониде индия / Н.Н. Герасименко и др.Применение метода ионной имплантации для создания фоточувствительных р-и-переходов на антимониде индия.Б. м./, 1990 ( ). - 1990. - (... ; Вып.1545 ; 1990, Вып.2).Применение метода ионной имплантации для создания фоточувствительных р-и-переходов на антимониде индия. Б. м., 1990 .Обзоры по электронной технике / М-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"Вып.1545