Моделирование влияния облучения гамма-квантами и быстрыми нейтронами на изменения электрофизических свойств МДП-транзистора
- 65 экз.9785904437176/[2012-79630]/русский (rus)/Моделирование влияния облучения гамма-квантами и быстрыми нейтронами на изменения электрофизических свойств МДП-транзистора / А.И. Рязанов, Я.С. Васильев.Моделирование влияния облучения гамма-квантами и быстрыми нейтронами на изменения электрофизических свойств МДП-транзистора / А.И. Рязанов, Я.С. Васильев.Моделирование влияния облучения гамма-квантами и быстрыми нейтронами на изменения электрофизических свойств МДП-транзистора.Москва/Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"/, 2012 ( ). - Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 2012. - 20, [1] с. : ил. ; 22 см. - (Препринт / Нац. исслед. центр "Курчатовский ин-т" ; ИАЭ-6697/11).Моделирование влияния облучения гамма-квантами и быстрыми нейтронами на изменения электрофизических свойств МДП-транзистора. Москва, 2012 .
Рез. на англ. яз. - Библиогр. в конце кн. Библиогр. в конце кн.МДП-структуры -- Радиационные эффекты/МДП-структуры -- Электрофизические свойства/З852.39-01/
Рез. на англ. яз. - Библиогр. в конце кн. Библиогр. в конце кн.МДП-структуры -- Радиационные эффекты/МДП-структуры -- Электрофизические свойства/З852.39-01/