Моделирование процессов электромиграции и зарождения дефектов в токопроводящих дорожках интегральных микросхем
2000-4/823 2000-4/823 [2000-8201]/русский (rus)/Моделирование процессов электромиграции и зарождения дефектов в токопроводящих дорожках интегральных микросхем / А.С. Владимиров, Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житников и др.Моделирование процессов электромиграции и зарождения дефектов в токопроводящих дорожках интегральных микросхем / А.С. Владимиров, Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житников и др.Моделирование процессов электромиграции и зарождения дефектов в токопроводящих дорожках интегральных микросхем.М./ИПМ/, 1999 ( ). - ИПМ, 1999. - 65 с. : ил. ; 20 см. - (Препринт / Ин-т пробл. механики Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т Рос. акад. наук ; N 652).Моделирование процессов электромиграции и зарождения дефектов в токопроводящих дорожках интегральных микросхем. М., 1999 .
Библиогр.: с. 62-65 (42 назв.). Библиогр.: с. 62-65 (42 назв.).Интегральные схемы -- Проводящие элементы -- Разрушение/З844.15-049.9-01/
Библиогр.: с. 62-65 (42 назв.). Библиогр.: с. 62-65 (42 назв.).Интегральные схемы -- Проводящие элементы -- Разрушение/З844.15-049.9-01/