Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов, (По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1967-81 гг.)
русский/Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов : (По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1967-81 гг.) / В.В. Бачурин, В.В. Полехов, А.И. Пыхтунова.Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов : (По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1967-81 гг.) / В.В. Бачурин, В.В. Полехов, А.И. Пыхтунова.Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов : (По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1967-81 гг.).М./ЦНИИ "Электроника"/, 1982 ( ). - ЦНИИ "Электроника", 1982. - 51 с. : ил. ; 21 см. - (Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника" ; Вып. 859 ; Вып. 3).Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов : (По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1967-81 гг.). М., 1982 .
В надзаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР. - Библиогр.: с. 45-51. Библиогр.: с. 45-51.
В надзаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР. - Библиогр.: с. 45-51. Библиогр.: с. 45-51.