Описание RUSMARC Карточка

Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором

70-3/8211 русский (rus)/Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором / Пер. с англ. под ред. Г.Г. Смолко.Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором / Пер. с англ. под ред. Г.Г. Смолко.Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором.Москва/Сов. радио/, 1971 ( ). - Сов. радио, 1971. - 142 с. : ил. ; 20 см.Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором. Москва, 1971 .
     Доп. тит. л.: Paul Richman. Characteristics and operation of mos field-effect devices. - Библиогр.: с. 135-140. Библиогр.: с. 135-140. Ричман, П., Поль .П.ПольСмолко, Редактор /
Связаться с нами:

тел.: 8-800-100-01-96 , 8(812)310-71-37

e-mail: office@nlr.ru