НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в GaAs
90-4/4755 русский (rus)/НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в GaAs / А.В. Квит, С.Р. Октябрьский, Б.Г. Журкин и др.НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в GaAs / А.В. Квит, С.Р. Октябрьский, Б.Г. Журкин и др.НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в GaAs.М./ФИАН/, 1990 ( ). - ФИАН, 1990. - [1], 14, [5] с. : ил. ; 20 см. - (Препринт / АН СССР. Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева ФИАН ; № 54).НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ фотолюминесценция как метод для исследования взаимодействия примесей в GaAs. М., 1990 .
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 13. Библиогр.: с. 13.
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 13. Библиогр.: с. 13.