ДЕЙСТВИЕ ускоренных электронов на время жизни и концентрацию носителей заряда в Р-П переходе на основе Ge-Si
87-4/11416 русский/ДЕЙСТВИЕ ускоренных электронов на время жизни и концентрацию носителей заряда в Р-П переходе на основе Ge-Si / Рустамов П.Г., Абиев А.К., Шахбазова Р.В., Джафарова Э.А.ДЕЙСТВИЕ ускоренных электронов на время жизни и концентрацию носителей заряда в Р-П переходе на основе Ge-Si / Рустамов П.Г., Абиев А.К., Шахбазова Р.В., Джафарова Э.А.ДЕЙСТВИЕ ускоренных электронов на время жизни и концентрацию носителей заряда в Р-П переходе на основе Ge-Si.Баку/СКБ ИФАН/, 1986 ( ). - СКБ ИФАН, 1986. - 10 с. : ил. ; 20 см. - (Препринт / АН АзССР, Ин-т физики ; № 166).ДЕЙСТВИЕ ускоренных электронов на время жизни и концентрацию носителей заряда в Р-П переходе на основе Ge-Si. Баку, 1986 .
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 9-10. Библиогр.: с. 9-10.
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 9-10. Библиогр.: с. 9-10.