Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки, (По данным отеч. и зарубеж. печати за 1980-1985 гг.)
П51/94 русский (rus)/Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки : (По данным отеч. и зарубеж. печати за 1980-1985 гг.) / С.А. Костылев, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов.Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки : (По данным отеч. и зарубеж. печати за 1980-1985 гг.) / С.А. Костылев, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов.Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки : (По данным отеч. и зарубеж. печати за 1980-1985 гг.).М./Изд-во ЦНИИ "Электроника"/, 1986 ( ). - Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1986. - 40 с. : граф. ; 21 см. - (Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника" ; Вып. 1188 ; Вып. 7).Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки : (По данным отеч. и зарубеж. печати за 1980-1985 гг.). М., 1986 .
В назаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР. - Библиогр.: с. 30-39. Библиогр.: с. 30-39.
В назаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР. - Библиогр.: с. 30-39. Библиогр.: с. 30-39.