Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика
89-4/15697 русский (rus)/Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика / С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Кавалюк, В.А. Манассон.Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика / С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Кавалюк, В.А. Манассон.Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика.Киев/ИПМ/, 1989 ( ). - ИПМ, 1989. - [1], 19 с. : ил. ; 20 см. - (Препринт / АН УССР, Ин-т пробл. материаловедения ; N 5).Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика. Киев, 1989 .
Библиогр.: с. 16-18. Библиогр.: с. 16-18.
Библиогр.: с. 16-18. Библиогр.: с. 16-18.