Точечные дефекты в полупроводниках, Эксперим. аспекты
86-5/2210 Нз В379/Б-912 русский (rus)/Точечные дефекты в полупроводниках : Эксперим. аспекты / Пер. с англ. Ю.М. Гальперина и др. ; Под ред. [и с предисл.] В.Л. Гуревича.Точечные дефекты в полупроводниках : Эксперим. аспекты / Пер. с англ. Ю.М. Гальперина и др.Точечные дефекты в полупроводниках : Эксперим. аспекты.М./Мир/, 1985 ( ). - Мир, 1985. - 304 с. : ил. ; 21 см.Точечные дефекты в полупроводниках : Эксперим. аспекты. М., 1985 .
Перевод изд.: Point defects in semiconductors / J. Bourgoin, M. Lannoo (Berlin etc., 1983). - Библиогр.: с. 9 (19 назв.), 289-297. - Предм. указ.: с. 298-300. Библиогр.: с. 9 (19 назв.), 289-297. Предм. указ.: с. 298-300.
Перевод изд.: Point defects in semiconductors / J. Bourgoin, M. Lannoo (Berlin etc., 1983). - Библиогр.: с. 9 (19 назв.), 289-297. - Предм. указ.: с. 298-300. Библиогр.: с. 9 (19 назв.), 289-297. Предм. указ.: с. 298-300.