Аналоговые СВЧ ГИС на приборах с барьером шоттки с оптимальными показателями, (Развитие теории и основ проектирования, создание нового поколения специализир. микросхем), Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. т. н.
русский/Аналоговые СВЧ ГИС на приборах с барьером шоттки с оптимальными показателями : (Развитие теории и основ проектирования, создание нового поколения специализир. микросхем) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. т. н. / Моск. инж.-физ. ин-т.Аналоговые СВЧ ГИС на приборах с барьером шоттки с оптимальными показателями : (Развитие теории и основ проектирования, создание нового поколения специализир. микросхем) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. т. н. / Моск. инж.-физ. ин-т.Аналоговые СВЧ ГИС на приборах с барьером шоттки с оптимальными показателями : (Развитие теории и основ проектирования, создание нового поколения специализир. микросхем) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. т. н.М./, 1985 ( ). - 1985. - 32 с.Аналоговые СВЧ ГИС на приборах с барьером шоттки с оптимальными показателями : (Развитие теории и основ проектирования, создание нового поколения специализир. микросхем) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. т. н. М., 1985 .
Список работ авт.: с. 26-32. - ДСП. Экз. № 004. Список работ авт.: с. 26-32.
Список работ авт.: с. 26-32. - ДСП. Экз. № 004. Список работ авт.: с. 26-32.