Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника, (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники)
86-5/4475 Нз В379/С-516 русский (rus)/Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники) / Т.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов ; Отв. ред. И.А. Смирнов ; АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова.Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники) / Т.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов.Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники).Л./Наука. Ленингр. отд-ние/, 1986 ( ). - Наука. Ленингр. отд-ние, 1986. - 173 с. : ил. ; 22 см.Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники). Л., 1986 .
Библиогр.: с. 161-171 (180 назв.). Библиогр.: с. 161-171 (180 назв.).
Библиогр.: с. 161-171 (180 назв.). Библиогр.: с. 161-171 (180 назв.).