Исследование глубоких примесных центров в GaAs, Cu с помощью фотолюминисценции, Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук, (01.04.10)
русский (rus)/Исследование глубоких примесных центров в GaAs : Cu с помощью фотолюминисценции : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : (01.04.10).Исследование глубоких примесных центров в GaAs : Cu с помощью фотолюминисценции : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : (01.04.10).Исследование глубоких примесных центров в GaAs : Cu с помощью фотолюминисценции : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : (01.04.10).Л./, 1983 ( ). - 1983. - 21 с.Исследование глубоких примесных центров в GaAs : Cu с помощью фотолюминисценции : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : (01.04.10). Л., 1983 .
В надзаг.: АН СССР, Физ. техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.). Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.).
В надзаг.: АН СССР, Физ. техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.). Библиогр.: с. 20-21 (10 назв.).