ФОТОЭДС Р-П перехода на основе Cd x Hg ₁-x Me в условиях разогрева носителей заряда
91-4/8411 русский (rus)/ФОТОЭДС Р-П перехода на основе Cd x Hg ₁-x Me в условиях разогрева носителей заряда / З.Ф. Агаев, Н.Р. Мамедов, Г.С. Сеидли, Е.Б. Хыдырова.ФОТОЭДС Р-П перехода на основе Cd x Hg ₁-x Me в условиях разогрева носителей заряда / З.Ф. Агаев, Н.Р. Мамедов, Г.С. Сеидли, Е.Б. Хыдырова.ФОТОЭДС Р-П перехода на основе Cd x Hg ₁-x Me в условиях разогрева носителей заряда.Баку/СКБ ИФАН/, 1991 ( ). - СКБ ИФАН, 1991. - 11 с. : граф. ; 20 см. - (Препринт / АН Азерб. Респ. Ин-т физики ; № 405).ФОТОЭДС Р-П перехода на основе Cd x Hg ₁-x Me в условиях разогрева носителей заряда. Баку, 1991 .
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 11. Библиогр.: с. 11.Полупроводники -- Фотоэлектродвижущая сила/nlr_sh1/
Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 11. Библиогр.: с. 11.Полупроводники -- Фотоэлектродвижущая сила/nlr_sh1/