Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методами Монте-Карло
91-5/3512 Нз З843.31/М-744 русский (rus)/Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методами Монте-Карло / Л.Н. Александров, Р.В. Бочкова, А.Н. Коган, Н.П. Тихонова ; Отв. ред. д. ф.-м. н., проф. С.И. Стенин ; АН СССР. Сиб отд-ние. Ин-т физики полупроводников.Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методами Монте-Карло / Л.Н. Александров, Р.В. Бочкова, А.Н. Коган, Н.П. Тихонова.Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методами Монте-Карло.Новосибирск/Наука. Сиб. отд-ние/, 1991 ( ). - Наука. Сиб. отд-ние, 1991. - 167 с. : ил. ; 21 см.Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методами Монте-Карло. Новосибирск, 1991 .
Библиогр.: с. 150-162. Библиогр.: с. 150-162.Полупроводниковые пленки -- Выращивание/nlr_sh1/
Библиогр.: с. 150-162. Библиогр.: с. 150-162.Полупроводниковые пленки -- Выращивание/nlr_sh1/