Полупроводниковые InGaAsP/InP (k-1.5 - 1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл., Спец. 01.04.10
А98/9816 [98-09816a]/русский (rus)/Полупроводниковые InGaAsP/InP (k-1.5 - 1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. : Спец. 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.Полупроводниковые InGaAsP/InP (k-1.5 - 1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. : Спец. 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.Полупроводниковые InGaAsP/InP (k-1.5 - 1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. : Спец. 01.04.10.СПб./, 1998 ( ). - 1998. - 60 с. : ил. ; 20 см.Полупроводниковые InGaAsP/InP (k-1.5 - 1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. : Спец. 01.04.10. СПб., 1998 .
Библиогр.: с. 53 - 60. Библиогр.: с. 53 - 60.01.04.10/
Библиогр.: с. 53 - 60. Библиогр.: с. 53 - 60.01.04.10/