Описание
RUSMARC
- International conference on defects in semiconductors
Запись [210] НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ
Количество использованных записей: 1
210 12 - ПРИНЯТАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ
- Начальный элемент ввода: International conference on defects in semiconductors
- Порядковый номер временной организации и/или номер ее части.: 25
- Дата проведения временной организации: 2009
- Место проведения временной организации: Saint-Petersburg
410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ
- Управление связями: z
- Начальный элемент ввода: Conference on defects in semiconductors
- Порядковый номер временной организации и / или номер ее части: 25
- Дата проведения временной организации: 2009
- Место проведения временной организации: Saint-Petersburg
410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ
- Управление связями: z
- Начальный элемент ввода: 25 International conference on defects in semiconductors
- Дата проведения временной организации: 2009
- Место проведения временной организации: Saint-Petersburg
410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ
- Управление связями: z
- Начальный элемент ввода: XXV International conference on defects in semiconductors
- Дата проведения временной организации: 2009
- Место проведения временной организации: Saint-Petersburg
410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ
- Управление связями: d
- Начальный элемент ввода: ICDS-25
801 #0 - ИСТОЧНИК ЗАПИСИ
- Страна: RU
- Организация: NLR
- Дата составления: 20091105
810 ## - ИСТОЧНИК, В КОТОРОМ ВЫЯВЛЕНА ИНФОРМАЦИЯ О ТОЧКЕ ДОСТУПА
- Название источника: 25th International conference on defects in semiconductors : book of abstracts...
- Найденная информация: (Проходила 20-24 июля 2009 г. На обложке формы: ICDS-25, 25th International conference on defects in semiconductors)
900 01 - СЛУЖЕБНЫЕ ПОМЕТКИ
- Заголовок составил: 11 2009 МВС
- Оператор: Мария
910 ## - ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ
- Тип коллектива: conference
- Географический признак: International
- Основа наименования: defects semiconductors