• International conference on defects in semiconductors

Запись [210] НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ

Количество использованных записей: 1

210 12 - ПРИНЯТАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ

  • Начальный элемент ввода: International conference on defects in semiconductors
  • Порядковый номер временной организации и/или номер ее части.: 25
  • Дата проведения временной организации: 2009
  • Место проведения временной организации: Saint-Petersburg

410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ

  • Управление связями: z
  • Начальный элемент ввода: Conference on defects in semiconductors
  • Порядковый номер временной организации и / или номер ее части: 25
  • Дата проведения временной организации: 2009
  • Место проведения временной организации: Saint-Petersburg

410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ

  • Управление связями: z
  • Начальный элемент ввода: 25 International conference on defects in semiconductors
  • Дата проведения временной организации: 2009
  • Место проведения временной организации: Saint-Petersburg

410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ

  • Управление связями: z
  • Начальный элемент ввода: XXV International conference on defects in semiconductors
  • Дата проведения временной организации: 2009
  • Место проведения временной организации: Saint-Petersburg

410 12 - ВАРИАНТНАЯ ТОЧКА ДОСТУПА - НАИМЕНОВАНИЕ ОРГАНИЗАЦИИ

  • Управление связями: d
  • Начальный элемент ввода: ICDS-25

801 #0 - ИСТОЧНИК ЗАПИСИ

  • Страна: RU
  • Организация: NLR
  • Дата составления: 20091105

810 ## - ИСТОЧНИК, В КОТОРОМ ВЫЯВЛЕНА ИНФОРМАЦИЯ О ТОЧКЕ ДОСТУПА

  • Название источника: 25th International conference on defects in semiconductors : book of abstracts...
  • Найденная информация: (Проходила 20-24 июля 2009 г. На обложке формы: ICDS-25, 25th International conference on defects in semiconductors)

900 01 - СЛУЖЕБНЫЕ ПОМЕТКИ

  • Заголовок составил: 11 2009 МВС
  • Оператор: Мария

910 ## - ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СВЕДЕНИЯ

  • Тип коллектива: conference
  • Географический признак: International
  • Основа наименования: defects semiconductors