Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия : [монография] / Н.Г. Филонов, И.В. Ивонин ; Национальный исследовательский Томский государственный педагогический университет
Язык: русский.Выходные данные: Томск : Издательский дом Томского государственного университета, 2018Физическая характеристика: 362 с. : ил., табл. ; 20 см.ISBN: 9785946217576 Библиография: Библиогр.: с. 118-343 (326 назв.).Предметная рубрика - Тема: Арсенид галлия -- Электрофизические свойства | Металл-полупроводник, система -- Шоттки эффект | Шоттки-диоды Другие классификации: З852.2 ; З843.324.406.33 Тип экземпляра: КнигаНет реальных экземпляров для этой записи
Библиогр.: с. 118-343 (326 назв.)