Компьютерное моделирование гетероструктурных приборов наноэлектроники : учебное пособие; для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 28.03.02 и 28.04.02 "Наноинженерия" (бакалавриат и магистратура), 28.03.01 и 28.04.01 "Нанотехнологии и микросистемная техника" (бакалавриат и магистратура), 12.03.01 и 12.04.01 "Приборостроение" (бакалавриат и магистратура), а также по специальности 11.05.01 "Радиоэлектронные системы и комплексы" / Н. А. Ветрова, С. В. Попов, С. В. Агасиева, К. П. Пчелинцев
Язык: русский.Выходные данные: Москва : Российский университет дружбы народов, 2022Физическая характеристика: 119, [1] с. : ил., табл., цв. ил. ; 24 см.ISBN: 978-5-209-10999-0 Примечания: Авт. указаны на обороте тит. с..Резюме: В пособии рассматриваются задачи, решаемые при компьютерном моделировании электрических характеристик гетероструктурных приборов наноэлектроники. Приводится подробное описание основных применяемых на сегодняшний день математических моделей электронного транспорта в таких приборах. Излагаются вычислительные алгоритмы (FDTD, FD) с их MATLAB-реализацией для расчета электрических характеристик гетероструктур, в том числе коэффициента прозрачности потенциального профиля типа барьер. Особое внимание уделяется верификации численных алгоритмов. Пособие содержит множество примеров с различными вариантами реализаций, а также задачи и практические упражнения для закрепления теоретических знаний. Для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 28.03.02 и 28.04.02 "Наноинженерия" (бакалавриат и магистратура), 28.03.01 и 28.04.01 "Нанотехнологии и микросистемная техника" (бакалавриат и магистратура), 12.03.01 и 12.04.01 "Приборостроение" (бакалавриат и магистратура), а также по специальности 11.05.01 "Радиоэлектронные системы и комплексы".Библиография: Библиогр.: с. 95-96 (14 назв.).Предметная рубрика - Тема: Компьютерное моделирование -- Применение в наноэлектронике -- Учебные издания для высших учебных заведений | Арсениды галлия -- Наноструктуры -- Учебные издания для высших учебных заведений | Арсениды галлия-арсениды алюминия, система -- Гетеропереходы -- Электрические свойства -- Учебные издания для высших учебных заведений УДК: 621.38-022.53:004.94(075.8), 4Другие классификации: ( rubbks ) 32.85с51я73 ; З852я73-1 ; З844.1с116я73-1 Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 8этаж, Хран. | 2022-7/8478 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-5670 | Доступно | 1-4049075 | ||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 8этаж, Хран. | 2022-7/8478 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-5670 | Доступно | 1-4049079 |
Авт. указаны на обороте тит. с.
Библиогр.: с. 95-96 (14 назв.)
В пособии рассматриваются задачи, решаемые при компьютерном моделировании электрических характеристик гетероструктурных приборов наноэлектроники. Приводится подробное описание основных применяемых на сегодняшний день математических моделей электронного транспорта в таких приборах. Излагаются вычислительные алгоритмы (FDTD, FD) с их MATLAB-реализацией для расчета электрических характеристик гетероструктур, в том числе коэффициента прозрачности потенциального профиля типа барьер. Особое внимание уделяется верификации численных алгоритмов. Пособие содержит множество примеров с различными вариантами реализаций, а также задачи и практические упражнения для закрепления теоретических знаний. Для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 28.03.02 и 28.04.02 "Наноинженерия" (бакалавриат и магистратура), 28.03.01 и 28.04.01 "Нанотехнологии и микросистемная техника" (бакалавриат и магистратура), 12.03.01 и 12.04.01 "Приборостроение" (бакалавриат и магистратура), а также по специальности 11.05.01 "Радиоэлектронные системы и комплексы"