Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия : монография / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин ; научный редактор И. В. Ивонин ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский Томский государственный университет
Язык: русский.Выходные данные: Томск : Изд-во Томского государственного университета, 2022Физическая характеристика: 246 с. : ил. ; 21 см.ISBN: 978-5-907572-05-8 Примечания: Посвящается 70-летию Радиофиз. фак. Том. гос. ун-та.Резюме или реферат: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.Библиография: Библиогр. в конце гл..Предметная рубрика - Тема: Арсениды галлия -- Кристаллы -- Дефекты | Арсениды галлия -- Примеси -- Диффузия УДК: 621.382, 4Другие классификации: ( ) 32.852 ; З843.324.4Коллекция: Национальная библиография Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2023-3/196 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7834 | Доступно | 1-4110945 | ||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2023-3/196 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7834 | Доступно | 1-4110946 |
Посвящается 70-летию Радиофиз. фак. Том. гос. ун-та
Библиогр. в конце гл.
В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники