Электронные ловушки в неоднородных полупроводниках : монография / Е. М. Зобов
Язык: русский.Выходные данные: Москва : Парнас, 2022Физическая характеристика: 186 с. : ил., табл. ; 21 см.ISBN: 978-5-4326-0138-4 Резюме: В монографии обобщены и проанализированы результаты исследований фото-, термоэлектрических и оптических свойств соединений группы A 2 B 6 и Ln 2X 3, в которых в той или иной степени проявляется стремление макроскопических дефектов кристаллической структуры вовлечь в область своего активного влияния точечные дефекты - электронные ловушки. Появление нетривиальных свойств в отдельных полупроводниковых материалах объяснено на основе "симбиоза" точечных и макроскопических дефектов кристаллической структуры. Приводятся характеристические параметры и физико-химическая природа электронных ловушек. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся изучением полупроводников и разработкой на их основе элементов оптоэлектроники, преподавателей, аспирантов и студентов вузов.Библиография: Библиогр.: с. 169-186.Предметная рубрика - Тема: Полупроводники неоднородные -- Фотоэлектрические свойства | Полупроводники неоднородные -- Дефекты точечные УДК: 621.384, 4Другие классификации: ( rubbks ) 32.854 ; З843.306.34 Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 8этаж, Хран. | 2023-3/2583 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-8413 | Доступно | 1-4148709 | ||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 8этаж, Хран. | 2023-3/2583 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-8413 | Доступно | 1-4148708 |
Библиогр.: с. 169-186
В монографии обобщены и проанализированы результаты исследований фото-, термоэлектрических и оптических свойств соединений группы A 2 B 6 и Ln 2X 3, в которых в той или иной степени проявляется стремление макроскопических дефектов кристаллической структуры вовлечь в область своего активного влияния точечные дефекты - электронные ловушки. Появление нетривиальных свойств в отдельных полупроводниковых материалах объяснено на основе "симбиоза" точечных и макроскопических дефектов кристаллической структуры. Приводятся характеристические параметры и физико-химическая природа электронных ловушек. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся изучением полупроводников и разработкой на их основе элементов оптоэлектроники, преподавателей, аспирантов и студентов вузов