Изовалентное легирование : Упр. электрон. свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на ситему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров; Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н.; Спец. 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе
Язык: русский.Выходные данные: СПб. : 1999Физическая характеристика: 51 с. : граф. ; 20 см.Библиография: Библиогр.: с. 46-51.Неконтролируемые предметные термины: Физико-математические науки - Физика. Астрономия Другие классификации: ( oksvnk ) 01.04.10 Тип экземпляра: КнигаНет реальных экземпляров для этой записи
Библиогр.: с. 46-51