Анализ спектра поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO₂ в МОП структурах со сверхтонким окислом методом проводимости
Язык: русский.Выходные данные: Новосибирск : Ин-т физики полупроводников, 1978Физическая характеристика: [1], 24 с. : ил. ; 21 см.Серия: Препринт ; 12-78Библиография: Библиогр.: с. 24. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 9этаж | 79-4/115 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 6656304-10 |
Библиогр.: с. 24