О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле
Язык: русский.Выходные данные: Ереван ; [М.] : ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике, 1991Физическая характеристика: 16 с. ; 20 см.Серия: Препринт ; ЕФИ-1323 (18)-91Библиография: Библиогр.: с. 16 (12 назв.).Коллекция: Национальная библиография Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 91-4/7037 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 5477014-10 |
Библиогр.: с. 16 (12 назв.)