КРАЙ фундаментальной полосы поглощения и низкотемпературные фазовые переходы в кристаллах TlGaSe₂ / К.Р. Аллахвердиев, Т.Г. Мамедов, Н.А. Бахышов и др.
Язык: русский.Выходные данные: Баку : СКБ ИФАН, 1990Физическая характеристика: 16 с. : ил. ; 20 см.Серия: Препринт ; № 351Примечания: Рез. на англ. яз..Библиография: Библиогр.: с. 14-16. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 9этаж | 90-4/10251 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 5485003-10 |
Рез. на англ. яз.
Библиогр.: с. 14-16