Механизмы роста, структура и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев арсенида индия, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : (По данным отеч. и зарубеж. печати за 1978-1989 годы)
Язык: русский.Выходные данные: М. : Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1990Физическая характеристика: 50 с. : ил. ; 20 см.Серия: Обзоры по электронной технике ; Вып. 1574Примечания: В надзаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР.Библиография: Библиогр.: с. 47-50. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский журнальный фонд | П51/94 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 5539336-10 |
В надзаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР
Библиогр.: с. 47-50