Физические основы новых способов использования тонкопленочных высокоомных слоев и электронов средних и больших энергий в потенциалографии
Язык: русский.Выходные данные: Москва : ЦНИИ "Электроника", 1978Физическая характеристика: 79 с. : ил. ; 22 см.Серия: Обзоры по электронной технике ; Вып. 548Примечания: В надзаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР; Авт. указан на обл..Библиография: Библиогр.: с. 72-79. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский журнальный фонд | П51/94 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 6492911-10 |
В надзаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР
Авт. указан на обл.
Библиогр.: с. 72-79