Математические модели физических процессов инжекции и релаксации заряда в диэлектрических слоях МДП-транзисторов с памятью
Язык: русский.Выходные данные: Новосибирск : Ин-т физики полупроводников, 1981Физическая характеристика: 83 с. : ил. ; 20 см.Серия: Препринт ; № 59-81Библиография: Библиогр.: с. 75-82. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 9этаж | 82-4/31405 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 6206512-10 |
Библиогр.: с. 75-82