Применение метода фототока p-n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов / АН СССР. Ордена Ленина Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе
Язык: русский.Выходные данные: Ленинград : Б. и., 1970Физическая характеристика: 27 с. : ил. ; 21 см.Примечания: Перед загл. авт.: И.М. Котина, Н.Е. Мазурик, С.Р. Новиков. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 3этаж Хран | 70-4/16625 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 7749469-10 |
Перед загл. авт.: И.М. Котина, Н.Е. Мазурик, С.Р. Новиков
Отпеч. множит. аппаратом