Gamma-ray diffractometry investigation of CaF₂/Si (III) heterostructures grown by MBE / A. I. Kurbakov, E. E. Rubinova, A. E. Sokolov et al.
Язык: английский ; резюме, русский.Выходные данные: L. : ЛИЯФ, 1991Физическая характеристика: 28 с. : ил. ; 20 см см.Серия: Preprint ; 1706Примечания: На обороте тит. л.: Гамма-дифрактометрическое исследование CaF₂/Si (III) гетероструктур, выращенных методом молекулярной эпитаксии / А. И. Курбаков и др.; На обл. надзаг. на рус. яз.; Рез. на рус. яз..Библиография: Библиогр.: с. 19-20.Предметная рубрика - Тема: Дифрактометрия рентгеновская | Полупроводники -- Гетеропереходы Другие классификации: ( rubbk ) P844/13-01c3 Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Иностранный книжный фонд | Т95 Д-4/319 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 9359855-10 |
На обороте тит. л.: Гамма-дифрактометрическое исследование CaF₂/Si (III) гетероструктур, выращенных методом молекулярной эпитаксии / А. И. Курбаков и др.
На обл. надзаг. на рус. яз.
Рез. на рус. яз.
Библиогр.: с. 19-20