ПРИМЕНЕНИЕ методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Герасименко Н.Н., Гузев А.А., Курышев Г.Л. и др.
Язык: русский.Выходные данные: Новосибирск : Ин-т физики полупроводников, 1991Физическая характеристика: 39 с. : граф. ; 19 см.Серия: Препринт ; 2Библиография: Библиогр.: с. 35-38.Предметная рубрика - Тема: Полупроводники -- Переходы p-nКоллекция: Национальная библиография Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 91-4/3007 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 8742009-10 |
Библиогр.: с. 35-38