TY  - BOOK
AU  - Алтухов, В. И.
AU  - Дадашев, Р. Х.
AU  - Санкин, А. В.
TI  - Получение и моделирование свойств наноструктурированных материалов и BAX диодов с барьером Шоттки на основе SiC (наноматериалы экстремальной электроники - от SiC;GaN и до алмаза)
SN  - 9785911272708
PY  - 2020///
CY  - Пятигорск, Грозный
PB  - СКФУ, Изд-во ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет", СКФУ
KW  - Шоттки диоды
KW  - Характеристики
KW  - nlr_sh2
KW  - RU\NLR\AUTH\661322217
KW  - Диоды кремниевые
KW  - Вольтамперные характеристики
KW  - RU\NLR\AUTH\6601615826
KW  - Карборунд
KW  - Наноструктуры
KW  - RU\NLR\AUTH\6601688086
KW  - Нанокристаллические материалы
KW  - Физические свойства
KW  - RU\NLR\AUTH\661516618
KW  - З852.2-016
KW  - З843.323.04
KW  - Ж366.063
N2  - Библиогр.: с. 132-145
ER  -