TY  - BOOK
AU  - Алтухов, В. И.
AU  - Санкин, А. В.
TI  - Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза)
SN  - 978-5-6046722-4-2
PY  - 2021///
CY  - Москва, Пятигорск
PB  - СКФУ
KW  - Силовая электроника
KW  - Физические основы
KW  - nlr_sh2
KW  - RU\NLR\AUTH\6601705721
KW  - Карборунд
KW  - Наноструктуры
KW  - RU\NLR\AUTH\6601688086
KW  - Монокристаллы
KW  - Производство
KW  - nlr_sh1
KW  - RU\NLR\AUTH\66526483
KW  - Наноэлектроника
KW  - RU\NLR\AUTH\661501456
KW  - Сегнетоэлектрики
KW  - Кристаллы
KW  - RU\NLR\AUTH\66491443
KW  - широкозонные материалы
KW  - карбид кремния - получение монокристалла
KW  - диоды с барьером Шоттки
KW  - наноматериалы экстремальной электроники
KW  - квантовый транспорт
KW  - андерсоновская локализация
KW  - фононный свойства наноматериалов
KW  - сегнетоэлектрики-полупроводники
KW  - дефекты кристаллов
KW  - кристаллы с парамагнитными центрами
KW  - сегнетоэлектрические кристаллы
KW  - 537.226
KW  - 4
KW  - З264.5
KW  - З843.323
KW  - З844.1-01
N2  - Библиогр.: с. 526-578; Осн. тр. авт.: с. 579-582
ER  -