TY  - BOOK
AU  - Chludkov, S. S.
AU  - Tolbanov, O. P.
AU  - Vilisova
TI  - Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers
SN  - 978-5-907722-96-5
PY  - 2024///
CY  - Tomsk
PB  - TSU press
KW  - Полупроводниковые приборы
KW  - Физические основы
KW  - nlr_sh1
KW  - nlr_sh2
KW  - RU\NLR\AUTH\66877005
KW  - Арсениды галлия легированные
KW  - Физические свойства
KW  - RU\NLR\AUTH\6601540921
KW  - З843.324.406.3
KW  - З852-01
N2  - Библиогр.: с. 221-248
ER  -