<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<mods xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns="http://www.loc.gov/mods/v3" version="3.1" xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-1.xsd"><titleInfo type="abbreviated"><title>Новосибирск</title></titleInfo><name type="personal"><namePart>20111121d2011    |||y0rusy50      ca</namePart><role><roleTerm authority="marcrelator" type="text">creator</roleTerm></role></name><typeOfResource>text</typeOfResource><originInfo><issuance>monographic</issuance></originInfo><physicalDescription><extent>Авт. указаны на обороте тит.л.</extent><extent>В надзаг. также: Ин-т неорг. химии им. А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В.С. Соболева</extent></physicalDescription>
    Флэш-память
    2552159
    RU\NLR\auth\661510116
  
    Запоминающие устройства
    Материалы
    1100895
    RU\NLR\auth\66433468
  
    Диэлектрики
    Применение в микроэлектронике
    2302922
    RU\NLR\auth\661378659
  <relatedItem type="isReferencedBy"><note>Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices</note></relatedItem><identifier type="lccn">978-5-7692-1183-6</identifier><recordInfo><recordChangeDate encoding="iso8601">20260407122922.0</recordChangeDate><recordIdentifier>RU\NLR\bibl\1843037</recordIdentifier></recordInfo></mods>
