TY  - BOOK
AU  - Ковчавцев, А.П.
TI  - Анализ спектра поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO₂ в МОП структурах со сверхтонким окислом методом проводимости
T2  - Препринт
VL  - 12-78
PY  - 1978///
CY  - Новосибирск
PB  - Ин-т физики полупроводников
N2  - Библиогр.: с. 24
ER  -