Радиационные процессы в микроэлектронике : учебное пособие; для студентов специальности 200300 "Электронные приборы и устройства" и магистрантов направления 550700 "Электроника и микроэлектроника" / О. В. Александров ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Язык: русский.Выходные данные: Санкт-Петербург : Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2022Физическая характеристика: 43 с. : ил. ; 21 см.ISBN: 978-5-7629-3023-9 Резюме или реферат: Рассмотрено влияние радиационных процессов на элементную базу микроэлектроники (МОП) и биполярные ИМС. Приведён анализ физических процессов при ионизирующем облучении МОП-структур Si-SiO2. Изучаются модели накопления объёмного заряда и поверхностных состояний во время и после ионизирующего облучения. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость МОП и биполярных ИМС. Предназначено для студентов специальности 200300 "Электронные приборы и устройства" и магистрантов направления 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Радиационные процессы в микроэлектронике".Библиография: Библиогр.: с. 42 (14 назв.).Предметная рубрика - Тема: МОП-приборы -- Учебные издания для высших учебных заведений -- Радиационная стойкость | Биполярные интегральные схемы -- Учебные издания для высших учебных заведений -- Радиационная стойкость | Кремниевые структуры -- Учебные издания для высших учебных заведений -- Электрофизические свойства -- Влияние ионизирующих излучений УДК: 621.382(075.8), 4Другие классификации: ( ) 32.853я73 ; З852.39-019.8я73-1 ; З844.15-019.8я73-1 ; З843.322.406.33я73-1Коллекция: Национальная библиография Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2022-4/11099 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7253 | Доступно | 1-4073544 | ||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2022-4/11099 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7253 | Доступно | 1-4073540 |
Библиогр.: с. 42 (14 назв.)
Рассмотрено влияние радиационных процессов на элементную базу микроэлектроники (МОП) и биполярные ИМС. Приведён анализ физических процессов при ионизирующем облучении МОП-структур Si-SiO2. Изучаются модели накопления объёмного заряда и поверхностных состояний во время и после ионизирующего облучения. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость МОП и биполярных ИМС. Предназначено для студентов специальности 200300 "Электронные приборы и устройства" и магистрантов направления 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Радиационные процессы в микроэлектронике"