Подробности: Влияние глубоких примесных уровней на электрофизические параметры диодов Ганна, инжекционнопролетных диодов и S-фотоприемников инфракрасного диапазона

Книга

Влияние глубоких примесных уровней на электрофизические параметры диодов Ганна, инжекционнопролетных диодов и S-фотоприемников инфракрасного диапазона

Автор (Альтер.): Буниатян, В.В.;Варосян, А.Г.;Гаспарян, Ф.В.;Арутюнян, Владимир МихайловичЯзык: русский.Выходные данные: Ереван : Б. и., 1975Физическая характеристика: 95 с. : граф. ; 21 см.Серия: АН АрмССР. Институт радиофизики и электроники. Препринт ; ИРФЭ № 2Примечания: Перед загл. авт.: В.М. Арутюнян, В.В. Буниатян, А.Г. Варосян, Ф.В. Гаспарян.Библиография: Библиогр.: с. 87-95. Тип экземпляра: Книга

Экземпляры
Тип экземпляра	Текущая библиотека	Шифр хранения	Статус	Срок возврата	Штрих-код
Книга	РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 9этаж, Хран.	75-4/18420 (Просмотр полки(Открывается ниже))	Доступно		7245426-10

Перед загл. авт.: В.М. Арутюнян, В.В. Буниатян, А.Г. Варосян, Ф.В. Гаспарян

Библиогр.: с. 87-95