Новые оптоэлектронные явления в варизонном полупроводнике : (На прим. p-GaAlAs); Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук; (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе
Язык: русский.Выходные данные: Л. : 1986Физическая характеристика: 20 с.Библиография: Библиогр.: с. 19-20 (17 назв.). Тип экземпляра: КнигаНет реальных экземпляров для этой записи
Библиогр.: с. 19-20 (17 назв.)