Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar' / К.Ю. Погрфебицкий, И.П. Сошников, Н.А. Берт, Д.Ж. Сайфидинов
Язык: русский ; резюме, английский.Выходные данные: СПб. : ФТИ, 1997Физическая характеристика: 21 с. : ил. ; 20 см.Серия: Препринт ; 1697Примечания: Рез. на англ. яз..Библиография: Библиогр.: с. 20-21 (11 назв.).Предметная рубрика - Тема: Арсениды галлия -- Структура -- Влияние рентгеновского излучения Другие классификации: З843.324.401 Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года, 8этаж | 2001-4/698 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 146865-10 |
Рез. на англ. яз.
Библиогр.: с. 20-21 (11 назв.)